




Главная
>
Продукция
>
Модуль БТИЗ rt100p20t6h-m

Модуль БТИЗ rt100p20t6h-m

Модуль БТИЗ RT100P20T6H-M

Характеристики модуля IGBT RT100P20T6H-M:
1. IGBT с траншейным затвором и остановкой поля
2. Номинальное короткое замыкание > 10 мкс
3. Низкое напряжение насыщения
4. Низкие потери при переключении
5. 100% РБСОА протестировано (2xlc)
6. Низкая паразитная индуктивность
7. Не содержит свинца, соответствует требованиям RoHS

Модуль БТИЗ RT100P20T6H-M
Email Детали

Получить последнюю цену? Мы ответим как можно скорее (в течение 12 часов)