-
17-05-2025
Датчик Холла с замкнутым контуром
Рост широкозонных полупроводников (SiC/GaN) и сверхбыстрой инфраструктуры зарядки потребует датчиков с более высокой пропускной способностью (>500 кГц) и повышенной термостойкостью. Интеграция с цифровыми интерфейсами (I²C, СПИ) и встроенной диагностикой (например, самокалибровка, отчеты об ошибках) еще больше упростит проектирование системы. Инновации в нанокристаллических магнитных сердечниках и элементах Холла на основе МЭМС могут повысить точность до более ±0,05%.
